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Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
比较
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB vs Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
总分
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
总分
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
39
左右 5% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
39
读取速度,GB/s
13.7
16.5
写入速度,GB/s
7.8
10.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2102
2680
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
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Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
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