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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
比较
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB vs Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
总分
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
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Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
40
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
37
读取速度,GB/s
12.9
14.7
写入速度,GB/s
7.5
11.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2078
2946
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
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SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
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Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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