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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
比较
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
总分
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
总分
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
52
左右 23% 更低的延时
需要考虑的原因
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.5
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
52
读取速度,GB/s
12.9
20.5
写入速度,GB/s
7.5
10.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2078
2472
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
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G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
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