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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
比较
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
总分
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
27
读取速度,GB/s
11.5
14.8
写入速度,GB/s
6.7
11.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1857
2426
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
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