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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
比较
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
总分
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
13.1
16.6
写入速度,GB/s
7.7
12.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2009
3279
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
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