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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
比较
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB vs Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
总分
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
总分
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
35
左右 23% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.2
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.8
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
35
读取速度,GB/s
13.1
17.2
写入速度,GB/s
7.7
16.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2009
3225
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
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