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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
比较
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB vs Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
总分
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
总分
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.5
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
26
读取速度,GB/s
13.1
20.5
写入速度,GB/s
7.7
16.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2009
3687
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
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