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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
比较
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
总分
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
13.1
16.8
写入速度,GB/s
7.7
13.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2009
2683
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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