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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
比较
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
总分
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
58
左右 53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.1
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.7
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
58
读取速度,GB/s
13.1
9.7
写入速度,GB/s
7.7
7.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2009
2172
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
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