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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
比较
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
总分
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
总分
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
38
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
38
读取速度,GB/s
13.1
16.5
写入速度,GB/s
7.7
10.9
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2009
2829
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB RAM的比较
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
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