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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
比较
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
总分
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
总分
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
35
左右 23% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.2
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
35
读取速度,GB/s
13.1
15.2
写入速度,GB/s
7.7
10.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2009
2773
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
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Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
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