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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
比较
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
总分
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
40
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
27
读取速度,GB/s
13.2
18.4
写入速度,GB/s
7.8
14.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2125
3388
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
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