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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
比较
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
总分
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
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Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
40
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
28
读取速度,GB/s
13.2
16.2
写入速度,GB/s
7.8
12.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2125
3305
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kllisre 0000 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
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