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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB vs Kingston 9965643-006.A01G 8GB

总分
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

总分
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Kingston 9965643-006.A01G 8GB

Kingston 9965643-006.A01G 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB 需要考虑的原因
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    40 left arrow 79
    左右 49% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    13.2 left arrow 12.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 7.3
    测试中的平均数值
Kingston 9965643-006.A01G 8GB 需要考虑的原因
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
报告一个错误
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    40 left arrow 79
  • 读取速度，GB/s
    13.2 left arrow 12.4
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 7.3
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2125 left arrow 1721

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Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
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内存RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
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内存RAM
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
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Kingston 9905678-156.A00G 8GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
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内存RAM
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
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内存RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
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内存RAM
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
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内存RAM
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
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