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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
比较
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
总分
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
总分
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
40
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
31
读取速度,GB/s
13.2
15.4
写入速度,GB/s
7.8
11.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2125
2447
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R744G2606U1S 4GB
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