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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
比较
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB vs Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
总分
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
总分
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.2
12.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
40
左右 -60% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
25
读取速度,GB/s
13.2
12.4
写入速度,GB/s
7.8
10.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2125
1511
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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