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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
比较
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
总分
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
总分
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
100
左右 60% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.2
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
100
读取速度,GB/s
13.2
15.2
写入速度,GB/s
7.8
8.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2125
1479
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
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