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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
比较
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB vs Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
总分
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
总分
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
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规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
37
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
5.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
26
读取速度,GB/s
11.1
15.2
写入速度,GB/s
5.8
15.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1807
3295
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
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