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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB

总分
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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

总分
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB

差异 规格 评论

差异

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB 需要考虑的原因
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    37 left arrow 38
    左右 3% 更低的延时
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB 需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    15 left arrow 11.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.5 left arrow 5.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    37 left arrow 38
  • 读取速度，GB/s
    11.1 left arrow 15.0
  • 写入速度，GB/s
    5.8 left arrow 12.5
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1807 left arrow 3005

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB RAM的比较

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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
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Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
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Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
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内存RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
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内存RAM
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
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Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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