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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
比较
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
总分
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
37
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
5.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
32
读取速度,GB/s
11.1
15.5
写入速度,GB/s
5.8
11.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1807
2960
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
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