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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
比较
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
总分
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
总分
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
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Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
37
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
5.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
10600
左右 2.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
30
读取速度,GB/s
11.1
16.4
写入速度,GB/s
5.8
13.1
内存带宽,mbps
10600
23400
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
1807
3310
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
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G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
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