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Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
比较
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
总分
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
总分
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
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Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
35
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
25
读取速度,GB/s
12.8
15.4
写入速度,GB/s
7.1
13.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1937
2786
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
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Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
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Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
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