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Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
比较
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB vs Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
总分
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
38
左右 8% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
38
读取速度,GB/s
12.8
14.2
写入速度,GB/s
7.1
10.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1937
2807
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
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