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Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
比较
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB vs Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
总分
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
总分
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
36
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
36
读取速度,GB/s
12.8
14.7
写入速度,GB/s
7.1
10.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1937
2490
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
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