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Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
比较
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB vs Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
总分
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
总分
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
53
左右 58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
10.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
22
53
读取速度,GB/s
15.5
10.3
写入速度,GB/s
9.8
8.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2510
2333
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
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