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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
比较
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB vs Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
总分
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
总分
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
31
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
31
读取速度,GB/s
13.2
14.8
写入速度,GB/s
7.3
11.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1489
3122
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
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