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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
比较
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB vs Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
总分
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
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规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
26
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
21
读取速度,GB/s
13.2
19.1
写入速度,GB/s
7.3
15.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1489
3264
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
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