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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
比较
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
总分
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
38
左右 32% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
38
读取速度,GB/s
13.2
14.8
写入速度,GB/s
7.3
10.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1489
2536
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
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Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
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