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Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
比较
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
总分
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
50
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
33
读取速度,GB/s
10.6
16.0
写入速度,GB/s
7.8
13.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1899
3238
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB RAM的比较
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
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