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Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB

Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB

总分
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Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB

Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB

总分
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB 需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 50
    左右 -85% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.5 left arrow 10.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.1 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    50 left arrow 27
  • 读取速度，GB/s
    10.6 left arrow 15.5
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 12.1
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1899 left arrow 2628

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SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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内存RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
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内存RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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