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Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
比较
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
总分
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
总分
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
50
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.7
10.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
31
读取速度,GB/s
10.6
11.7
写入速度,GB/s
7.8
7.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1899
1997
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
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