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Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
比较
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
50
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
33
读取速度,GB/s
10.6
17.6
写入速度,GB/s
7.8
12.0
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1899
2910
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB RAM的比较
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Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
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