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Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
比较
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB vs Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
总分
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
总分
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
50
左右 -56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
10.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
32
读取速度,GB/s
10.6
13.8
写入速度,GB/s
7.8
6.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1899
1844
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965589-043.E00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
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