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Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
比较
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB vs Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
总分
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
总分
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
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需要考虑的原因
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
50
左右 -67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
30
读取速度,GB/s
10.6
12.0
写入速度,GB/s
7.8
8.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1899
2034
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
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