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Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
比较
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
总分
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
30
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.4
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
30
读取速度,GB/s
9.7
18.4
写入速度,GB/s
5.2
14.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1731
3657
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
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Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
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