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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
比较
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB vs Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
总分
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
总分
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
84
左右 -190% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
84
29
读取速度,GB/s
5.0
16.6
写入速度,GB/s
3.6
15.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
878
3629
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
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