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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
比较
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB vs Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
总分
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
84
左右 -147% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
84
34
读取速度,GB/s
5.0
16.5
写入速度,GB/s
3.6
14.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
878
3404
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
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