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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
比较
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB vs Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
总分
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
总分
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
71
84
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.9
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
84
71
读取速度,GB/s
5.0
14.8
写入速度,GB/s
3.6
7.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
878
1799
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
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