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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
比较
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
总分
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
84
左右 -163% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
84
32
读取速度,GB/s
5.0
17.1
写入速度,GB/s
3.6
11.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
878
2903
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
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