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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
比较
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
总分
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
84
左右 -190% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
84
29
读取速度,GB/s
5.0
17.7
写入速度,GB/s
3.6
13.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
878
3401
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
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