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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
比较
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB vs Kingston 9965596-002.B00G 4GB
总分
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
总分
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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需要考虑的原因
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
84
左右 -147% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.6
5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
84
34
读取速度,GB/s
5.0
9.6
写入速度,GB/s
3.6
8.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
878
2346
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
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