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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
比较
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
总分
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
54
84
左右 -56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.3
5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.3
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
84
54
读取速度,GB/s
5.0
9.3
写入速度,GB/s
3.6
7.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
878
1904
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
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