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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
比较
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB vs SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
总分
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
总分
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
84
左右 -147% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
84
34
读取速度,GB/s
5.0
16.2
写入速度,GB/s
3.6
11.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
878
2907
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB RAM的比较
Kingston 99U5469-053.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
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