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Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
比较
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB vs Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
总分
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
31
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.6
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
25
读取速度,GB/s
11.4
21.6
写入速度,GB/s
8.4
16.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1906
3994
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT451U7AFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
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