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Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
比较
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
总分
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
总分
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
31
左右 -7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
29
读取速度,GB/s
11.4
17.8
写入速度,GB/s
8.4
15.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1906
3625
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
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Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
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