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Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
比较
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
总分
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
总分
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
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规格
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Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
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Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
31
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.8
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.4
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
30
读取速度,GB/s
11.4
20.8
写入速度,GB/s
8.4
16.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1906
3703
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
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