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Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
比较
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
总分
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
31
左右 -72% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.1
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
18
读取速度,GB/s
11.4
21.1
写入速度,GB/s
8.4
16.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1906
3286
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
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