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Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
比较
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
总分
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
36
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
36
读取速度,GB/s
11.4
14.0
写入速度,GB/s
8.4
10.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1906
2519
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
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