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Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
比较
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB vs Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
总分
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
总分
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
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需要考虑的原因
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
31
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
26
读取速度,GB/s
11.4
13.8
写入速度,GB/s
8.4
10.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1906
2691
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
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