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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
比较
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs AMD R7416G2400U2S 16GB
总分
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
总分
AMD R7416G2400U2S 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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AMD R7416G2400U2S 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
27
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
22
读取速度,GB/s
11.9
18.1
写入速度,GB/s
8.5
14.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1620
3260
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
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